Свяжитесь с нами
pусский
NTMD6N03R2G

ON NTMD6N03R2G

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)30V6A32 мОм @ 6А, 10В2,5 В @ 250 мкА

Сравнить
onsemi
NTMD6N03R2G
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
NTMD6N03R2G Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽17.53

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Features

MOSFET (Metal Oxide) Technology


? Designed for use in low voltage, high speed switching applications

? Ultra Low On?Resistance Provides

Higher Efficiency and Extends Battery Life

? RDS(on) = 0.024 , VGS = 10 V (Typ)

? RDS(on) = 0.030 , VGS = 4.5 V (Typ)

? Miniature SOIC?8 Surface Mount Package Saves Board Space

? Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits

? Diode Exhibits High Speed, with Soft Recovery

? AEC Q101 Qualified ? NVMD6N03R2

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

Surface Mount Mounting Type

Applications

NTMD6N03R2G       Applications


? DC?DC Converters

? Computers

? Printers

? Cellular and Cordless Phones

? Disk Drives and Tape Drives

 




Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 6A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 32 мОм @ 6А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 30nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 950пФ @ 24В
Максимальная мощность: 1.29W
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z