ON NTMFS5C423NLT1G
N-канальный40 V150A (Tc)2 В @ 250 мкА3,7 Вт (Ta), 83 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNTMFS5C423NLT1G
MOSFET N-CH 40V 5DFN
₽341.98
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
ON Semiconductor's NTMFS5C4xx and NVMFS5C4xx 40 V Power MOSFETs are capable of delivering incredibly low on state resistance, RDS(ON), values, thereby minimizing conduction losses and improving overall operational efficiency levels. They also have very low gate capacitance (Ciss), down to 2164 picofarads (pF), which ensures driver losses are kept as low as possible. The devices are rated to operate at junction temperatures up to 175˚C, thereby giving engineers greater thermal headroom for their designs.
Features
Tape & Reel (TR) PackageLow RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant
Applications
Point of Load Modules
High-Performance DC-DC Converters
Secondary Syn. Rectification
DC Motor Drive
NTMFS5C423NLT1G Applications
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 150A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 2 мОм @ 50 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 50 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3100 пФ @ 20 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,7 Вт (Ta), 83 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 5DFN (5x6) (8-SOFL)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN, 5 выводов
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN