ON NTMS5838NLR2G
N-канальный40 V5,8A (Ta)3 В @ 250 мкА1,5 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNTMS5838NLR2G
MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC
₽9.79
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The NTMS4N01R2 is MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC manufactured by ON. The NTMS4N01R2 is available in 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC.
The NTMS5835NLR2G is MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC manufactured by ON. The NTMS5835NLR2G is available in 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC, N-Channel 40V 9.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC, Trans MOSFET N-CH 40V 9.2A 8-Pin SOIC N T/R.
Features
Tape & Reel (TR) PackageFast switching speed
High operating frequency
Small current capacitance
Low gate charge
Available in the SO-8 package
Applications
Power electronic equipment
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 5,8A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 25 мОм @ 7А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 17 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 785 пФ @ 20 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,5 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3