Свяжитесь с нами
pусский
NTP18N06

ON NTP18N06

N-канальный60 V15A (Tc)4 В @ 250 мкА48,4 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие

Сравнить
onsemi
NTP18N06
MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
NTP18N06 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽11.46

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The NTNUS3171PZT5G is MOSFET T1 20V P-CH SOT-1123, that includes NTNUS3171PZ Series, they are designed to operate with a Reel Packaging, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as SOT-1123-3, Technology is designed to work in Si, as well as the 1 Channel Number of Channels, the device can also be used as Single Configuration. In addition, the Transistor Type is 1 P-Channel, the device is offered in 125 mW Pd Power Dissipation, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Id Continuous Drain Current is - 150 mA, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is - 20 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 3.4 Ohms, and Transistor Polarity is P-Channel, and the Forward Transconductance Min is 0.26 s.

The NTP125N02RG is MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB manufactured by ON. The NTP125N02RG is available in TO-220-3 Package, is part of the IC Chips, , and with support for MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB, N-Channel 24V 15.9A (Ta) 1.98W (Ta), 113.6W (Tc) Through Hole TO-220AB.

Features

MOSFET (Metal Oxide) Technology


  • Pb?Free Packages are Available

  • Drain to source voltage (Vds) of 60V

  • Gate to source voltage of ±20V

  • Continuous drain current (Id) of 15A

  • Power dissipation (Pd) of  48.4W

  • Operating junction temperature range from -55°C to 175°C



Through Hole Mounting Type

Applications


  • Power Supplies

  • Converters

  • Power Motor Controls

  • Bridge Circuits


Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 15A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 90 мОм @ 7,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 22 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 450 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 48,4 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z