ON NTR5105PT1G
P-канал60 V196 мА (Ta)3 В @ 250 мкА347 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNTR5105PT1G
MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
₽2.89
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
60 V Drain to Source Voltage (Vdss)
196mA (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5Ohm @ 100mA, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
1 nC @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
30.3 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
347mW (Ta) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Applications
Silicon optimized for applications
Trench Technology
Industry standard surface-mount power package
High-current carrying capability package
RoHS Compliant
NTR5105PT1G Applications
Small Signal Load Switch
Analog Switch
Small Signal Interface
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
_tmb.jpg)
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 196 мА (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 5 Ом @ 100 мА, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 1 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 30,3 пФ при 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 347 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3