Все категории
Свяжитесь с нами
pусский
домашняя страница
Все категории
Дискретные полупроводниковые приборы
Одиночные транзисторы, МОП-транзисторы
NTRV4101PT1G
NTRV4101PT1G

ON NTRV4101PT1G

P-канал20 V1,8 А (Ta)1,2 В @ 250 мкА420 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
onsemi
NTRV4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
NTRV4101PT1G Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽2.33

Обновление цены：несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

Automotive Power MOSFET ideal for low power applications. -20V, -3.2A, 85 mOhm, Single P-Channel, SOT23. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

Features

Tape & Reel (TR) Package


  • Leading ?20 V Trench for Low RDS(on)

  • ?1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive

  • SOT?23 Surface Mount for Small Footprint

  • NTRV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

  • Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

  • These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Load/Power Management for Portables

  • Load/Power Management for Computing

  • Charging Circuits and Battery Protection


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 1,8 А (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 1,8 В, 4,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 85 мОм @ 1,6 А, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 8,5 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±8V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 675 пФ @ 10 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 420 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Аналогичные детали：0
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Популярные номера деталей

Посмотреть все

Новosti в реальном времени

Посмотреть все

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Популярные продукты

01 / 02
10

Все номера деталей продукции 0 - Z