ON NTTFS4800NTAG
N-канальный30 V5A (Ta), 32A (Tc)3 В @ 250 мкА860 мВт (Ta), 33,8 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNTTFS4800NTAG
MOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN
₽42.38
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The NTTFS3A08PZTAG is MOSFET P-CH 20V 14A U8FL, that includes NTTFS3A08PZ Series, they are designed to operate with a Reel Packaging, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as WDFN-8, Technology is designed to work in Si, as well as the 2.2 W Pd Power Dissipation, the device can also be used as - 14 A Id Continuous Drain Current. In addition, the Vds Drain Source Breakdown Voltage is - 20 V, the device is offered in 6.7 mOhms Rds On Drain Source Resistance, the device has a P-Channel of Transistor Polarity.
NTTF4821NTAG with EDA / CAD Models manufactured by ON. The NTTF4821NTAG is available in DFN8 Package, is part of the IC Chips.
Features
Tape & Reel (TR) Packagethe avalanche energy rating (Eas) is 36.6 mJ
a continuous drain current (ID) of 8.3A
the turn-off delay time is 14 ns
based on its rated peak drain current 57A.
a 30V drain to source voltage (Vdss)
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
NTTFS4800NTAG applications of single MOSFETs transistors.
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 5A (Ta), 32A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 11,5 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 20 мОм @ 20 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 16,6 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 964 пФ при 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 860 мВт (Ta), 33,8 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 8-WDFN (3.3x3.3)
Упаковка / Кейс: 8-PowerWDFN
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA