Свяжитесь с нами
pусский
NTUD3174NZT5G

ON NTUD3174NZT5G

MOSFET (оксид металла)2 N-канала (сдвоенные)20V220 мА (Ta)1,5 Ом @ 100 мА, 4,5 В1 В @ 100 мкА

Сравнить
onsemi
NTUD3174NZT5G
MOSFET 2N-CH 20V 220MA SOT963
Нет технического описания
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽11.38

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The NTUD3169CZT5G is MOSFET N/P-CH 20V SOT-963, that includes NTUD3169CZ Series, they are designed to operate with a Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as SOT-963, Technology is designed to work in Si, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), the device can also be used as Surface Mount Mounting Type. In addition, the Number of Channels is 2 Channel, the device is offered in SOT-963 Supplier Device Package, the device has a N-Channel P-Channel of Configuration, and FET Type is N and P-Channel, and the Power Max is 125mW, and Transistor Type is 1 N-Channel 1 P-Channel, and the Drain to Source Voltage Vdss is 20V, and Input Capacitance Ciss Vds is 12.5pF @ 15V, and the FET Feature is Logic Level Gate, and Current Continuous Drain Id 25°C is 220mA, 200mA, and the Rds On Max Id Vgs is 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, and Vgs th Max Id is 1V @ 250μA, and the Pd Power Dissipation is 200 mW, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and Fall Time is 80 ns 145 ns, and the Rise Time is 25.5 nd 46 ns, and Vgs Gate Source Voltage is 8 V, and the Id Continuous Drain Current is 220 mA, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 20 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 1.5 Ohms 5 Ohms, and Transistor Polarity is N-Channel P-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 142 ns 196 ns, and Typical Turn On Delay Time is 16.5 ns 26 ns, and the Forward Transconductance Min is 0.48 S 0.35 S, and Channel Mode is Enhancement.

The NTUD3171PZT5G is MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963, that includes 200mA Current Continuous Drain Id 25°C, they are designed to operate with a 20V Drain to Source Voltage Vdss, FET Feature is shown on datasheet note for use in a Logic Level Gate, that offers FET Type features such as 2 P-Channel (Dual), Input Capacitance Ciss Vds is designed to work in 13.5pF @ 15V, as well as the Surface Mount Mounting Type, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ). In addition, the Package Case is SOT-963, the device is offered in Tape & Reel (TR) Packaging, the device has a 125mW of Power Max, and Rds On Max Id Vgs is 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, and the Supplier Device Package is SOT-963, and Vgs th Max Id is 1V @ 250μA.

Features

MOSFET (Metal Oxide) Technology

? Dual N?Channel MOSFET

? Offers a Low RDS(ON) Solution in the Ultra Small 1.0 x 1.0 mm

Package

? 1.5 V Gate Voltage Rating

? Ultra Thin Profile (< 0.5 mm) Allows It to Fit Easily into Extremely

Thin Environments such as Portable Electronics

? This is a Pb?Free Device

Surface Mount Mounting Type

Applications


? General Purpose Interfacing Switch

? Optimized for Power Management in Ultra Portable Equipment

? Analog Switch


 




 


Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 220 мА (Ta)
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,5 Ом @ 100 мА, 4,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 100 мкА
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 12,5 пФ @ 15 В
Максимальная мощность: 125 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: SOT-963
Поставщик Упаковка устройства: SOT-963
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z