ON NVMFS5C646NLAFT1G
N-канальный60 V20A (Ta), 93A (Tc)2 В @ 250 мкА3,7 Вт (Ta), 79 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNVMFS5C646NLAFT1G
MOSFET N-CH 60V 20A/93A 5DFN
₽144.13
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Features
Tape & Reel (TR) PackageLow RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
NVMFS5C646NLWF Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
Applications
Reverse Battery protection
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 20A (Ta), 93A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 4,7 мОм @ 50А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 33,7 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2164 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,7 Вт (Ta), 79 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 5DFN (5x6) (8-SOFL)
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN, 5 выводов
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3