ON NVR4003NT3G
N-канальный30 V500 мА (Ta)1,4 В @ 250 мкА690 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьNVR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23
₽4.76
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
• Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design• Low Gate Charge for Fast Switching• ESD Protected Gate• SOT−23 Package Provides Excellent Thermal Performance• Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V• NVR Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
Features
MOSFET (Metal Oxide) TechnologyESD Protected Gate
Low Gate Charge for Fast Switching
Minimum Breakdown Voltage Rating of 30 V
SOT-23 Package Provides Excellent Thermal Performance
RoHS Compliant
Low Gate Voltage Threshold (VGS(TH)) to Facilitate Drive Circuit Design
AEC-Q101 Qualified and PPAP capable
Applications
Level Shifters
Logic Switches
Low Side Load Switches
Portable Applications
Notebooks
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 500 мА (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 2,5 В, 4 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,5 Ом @ 10 мА, 4 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1,4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 1,15 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 21 пФ @ 5 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 690 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SOT-23-3 (TO-236)
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA