Свяжитесь с нами
pусский
P1087

ON P1087

30 V150 ОмК-226-3, К-92-3 (К-226АА)

Сравнить
onsemi
P1087
JFET P-CH 30V TO92-3
P1087 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽7.08

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

P1086-TR with pin details, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a P1086 Part Aliases, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Package Case features such as TO-92-2, Technology is designed to work in Si, as well as the Single Configuration, the device can also be used as 360 mW Pd Power Dissipation. In addition, the Id Continuous Drain Current is - 6 mA, the device is offered in - 15 V Vds Drain Source Breakdown Voltage, the device has a 75 Ohms of Rds On Drain Source Resistance, and Transistor Polarity is P-Channel, and the Vgs Gate Source Breakdown Voltage is 30 V, and Drain to Source Voltage Vdss is - 10 mA, and the Gate Source Cutoff Voltage is 10 V.

P1086_D75Z with circuit diagram, that includes 10mA @ 20V Current Drain Idss Vds Vgs=0, they are designed to operate with a P-Channel FET Type, Input Capacitance Ciss Vds is shown on datasheet note for use in a 45pF @ 15V, that offers Mounting Type features such as Through Hole, Package Case is designed to work in TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), as well as the Bulk Packaging, the device can also be used as 350mW Power Max. In addition, the Resistance RDS On is 75 Ohm, the device is offered in TO-92-3 Supplier Device Package, the device has a 30V of Voltage Breakdown V BRGSS, and Voltage Cutoff VGS off Id is 10V @ 1μA.

Features

30 V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)


? Low Noise: 8 nV/√Hz Typical

? RoHS Compliant

? SMT, TH, and Bare Die Package options.

? Has an extremely high input resistance

? Enable to switch high currents or high voltage loads



Through Hole Mounting Type

Applications


? Choppers

? Analog Switches

? Controlling Loads

? In CMOS Digital Circuits

? As a Switch


Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: P-канал
Напряжение пробоя (затвор-источник-источник): 30 V
Ток - сток (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5 мА @ 20 В
Напряжение отсечки на затворе-источнике в выключенном состоянии и ток стока: 5 В @ 1 мкА
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 45 пФ @ 15 В
Устойчивость к внешним воздействиям: 150 Ом
Максимальная мощность: 350 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: К-226-3, К-92-3 (К-226АА)
Поставщик Упаковка устройства: ТО-92-3
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z