Свяжитесь с нами
pусский
PN4117A_D26Z

ON PN4117A_D26Z

40 VTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Формируемые выводы

Сравнить
onsemi
PN4117A_D26Z
JFET N-CH 40V TO92-3
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The 2N4117A is MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF, that includes Bulk Packaging, they are designed to operate with a Through Hole Mounting Style, Package Case is shown on datasheet note for use in a TO-206AF, TO-72-4 Metal Can, that offers Technology features such as Si, Mounting Type is designed to work in Through Hole, as well as the TO-206AF (TO-72) Supplier Device Package, the device can also be used as Single Configuration. In addition, the FET Type is N-Channel, the device is offered in 300mW Power Max, the device has a 40V of Voltage Breakdown V BRGSS, and Current Drain Idss Vds Vgs=0 is 30μA @ 10V, and the Voltage Cutoff VGS off Id is 600mV @ 1nA, and Input Capacitance Ciss Vds is 3pF @ 10V, and the Pd Power Dissipation is 300 mW, and Id Continuous Drain Current is 1 nA, and the Vds Drain Source Breakdown Voltage is 10 V, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Forward Transconductance Min is 70 uS, and Vgs Gate Source Breakdown Voltage is - 40 V, and the Gate Source Cutoff Voltage is - 1.8 V.

2N4093UB with EDA / CAD Models manufactured by Microsemi. is part of the JFETs (Junction Field Effect), , and with support for JFET N Channel Jfet, JFET N-Channel 40V 360mW Surface Mount 3-UB (3.09x2.45).

Features

Tape & Reel (TR) Package
40 V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
30 µA @ 10 V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
600 mV @ 1 nA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
3pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
350 mW Power - Max
Through Hole Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Напряжение пробоя (затвор-источник-источник): 40 V
Ток - сток (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30 мкА при 10 В
Напряжение отсечки на затворе-источнике в выключенном состоянии и ток стока: 600 мВ @ 1 нА
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3пФ @ 10 В
Максимальная мощность: 350 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Формируемые выводы
Поставщик Упаковка устройства: ТО-92-3
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z