Свяжитесь с нами
pусский
PN4392_D75Z

ON PN4392_D75Z

30 V60 ОмTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Формируемые выводы

Сравнить
onsemi
PN4392_D75Z
JFET N-CH 30V TO92-3
PN4392_D75Z Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

PN4392_D26Z with pin details, that includes Tape & Reel (TR) Packaging, they are designed to operate with a TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Package Case, Mounting Type is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Supplier Device Package features such as TO-92-3, FET Type is designed to work in N-Channel, as well as the 625mW Power Max, the device can also be used as 30V Voltage Breakdown V BRGSS. In addition, the Current Drain Idss Vds Vgs=0 is 25mA @ 20V, the device is offered in 2V @ 1nA Voltage Cutoff VGS off Id, the device has a 14pF @ 20V of Input Capacitance Ciss Vds, and Resistance RDS On is 60 Ohm.

The PN4392 is JFET N-CH 30V 625MW TO92, that includes TO-92-3 Supplier Device Package, they are designed to operate with a TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Package Case, Mounting Type is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Series features such as PN43, FET Type is designed to work in N-Channel, as well as the Bulk Packaging, the device can also be used as 625mW Power Max. In addition, the Resistance RDS On is 60 Ohm, the device is offered in 30V Voltage Breakdown V BRGSS, the device has a 2V @ 1nA of Voltage Cutoff VGS off Id, and Current Drain Idss Vds Vgs=0 is 25mA @ 20V, and the Input Capacitance Ciss Vds is 14pF @ 20V.

Features

Tape & Box (TB) Package
30 V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
25 mA @ 20 V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
2 V @ 1 nA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
14pF @ 20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
60 Ohms Resistance - RDS(On)
625 mW Power - Max
Through Hole Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и коробка (ТБ)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Напряжение пробоя (затвор-источник-источник): 30 V
Ток - сток (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 мА @ 20 В
Напряжение отсечки на затворе-источнике в выключенном состоянии и ток стока: 2 В @ 1 нА
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 14пФ @ 20В
Устойчивость к внешним воздействиям: 60 Ом
Максимальная мощность: 625 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Формируемые выводы
Поставщик Упаковка устройства: ТО-92-3
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z