Свяжитесь с нами
pусский
PN5432_D27Z

ON PN5432_D27Z

25 V5 ОмTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Формируемые выводы

Сравнить
onsemi
PN5432_D27Z
JFET N-CH 25V TO92-3
PN5432_D27Z Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

PN5432 / PN5433 / PN5434 PN5432 PN5433 PN5434 G S TO-92 D N-Channel Switch This device is designed for analog or digital switching applications where very low On Resistance is mandatory. Sourced from Process 58. See J108 for characteristics. Absolute Maximum Ratings- Symbol VDG VGS IGF TJ, Tstg Drain-Gate Voltage Gate-Source Voltage Forward Gate Current TA = 25°C unless otherwise noted Parameter Value 25 -25 10 -55 to +150 Units V V mA °C Operating and Storage Junction Temperature Range *These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired. NOTES: 1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C. 2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations. Thermal Characteristics Symbol PD RθJC RθJA TA = 25°C unless otherwise noted Characteristic Total Device Dissipation Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Case Thermal Resistance, Junction to Ambient Max PN5432 / 5433 / 5434 350 2.8 125 357 Units mW mW/°C °C/W °C/W 2001 Fairchild Semiconductor Corporation PN5432/PN5433/PN5434, Rev B PN5432 / PN5433 / PN5434 N-Channel Switch (continued) Electrical Characteristics Symbol Parameter TA = 25°C unless otherwise noted Test Conditions Min Max Units OFF CHARACTERISTICS V(BR)GSS IGSS ID(off) Gate-Source Breakdown Voltage Gate Reverse Current Drain Cutoff Leakage Voltage IG = 1.0 µ A, VDS = 0 VGS = 15 V, VDS = 0 VGS = 15 V, VDS = 0, TA = 150 °C VGS = 10 V, VDS = 5.0 V VGS = 10 V, VDS = 5.0 V, TA = 150 °C VDS = 5.0 V, ID = 3.0 nA 5432 5433 5434 -25 -200 -200 -200 -200 -10 -9.0 -4.0 V pA nA pA nA V V V VGS(off) Gate-Source Cutoff Voltage -4.0 -3.0 -1.0 ON CHARACTERISTICS IDSS Zero-Gate Voltage Drain Current- VDS = 15 V, VGS = 0 5432 5433 5434 5432 5433 5434 5432 5433 5434 5432 5433 5434 150 100 30 50 70 100 5.0 7.0 10 5.0 7.0 10 mA mA mA mV mV mV Ω Ω Ω Ω Ω Ω VDS(on) Drain-Source On Voltage ID = 10 mA, VGS = 0 rDS(on) Drain-Source On Resistance ID = 10 mA, VGS = 0 2.0 ID = 0, VGS = 0, f = 1.0 kHz 2.0 SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS Ciss Crss Input Capacitance Reverse Transfer Capacitance VDS = 0 , VGS = 10 V, f = 1.0 MHz VDS = 0 , VGS = 10 V, f = 1.0 MHz 30 15 pF pF SWITCHING CHARACTERISTICS td tr ts Delay Time Rise Time Storage Time VDD = 1.5 V, VGS(on) = 0, ID(on) = 10 mA VGS(off) = 12 V, VDS(on) = 50 mV VDS(on) = 70 mV VDS(on) = 100 mV VGS(off) = 12 V 5432 5433 5434 4.0 1.0 6.0 6.0 6.0 30 ns ns ns ns ns ns tf Fall Time *Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0% TO-92 Tape and Reel Data TO-92 Packaging Configuration: Figure 1.0 TAPE and REEL OPTION FSCINT Label sample FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION LOT: CBVK741B019 HTB:B QTY: 10000 See Fig 2.0 for various Reeling Styles NSID: PN2222N SPEC: D/C1: D9842 SPEC REV: QA REV: B2 FSCINT Label (FSCINT) 5 Reels per Intermediate Box F63TNR Label Customi

Features

Tape & Reel (TR) Package
25 V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
150 mA @ 15 V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
4 V @ 3 nA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
30pF @ 10V (VGS) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5 Ohms Resistance - RDS(On)
350 mW Power - Max
Through Hole Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Напряжение пробоя (затвор-источник-источник): 25 V
Ток - сток (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150 мА @ 15 В
Напряжение отсечки на затворе-источнике в выключенном состоянии и ток стока: 4 В @ 3 нА
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 30пФ @ 10В (VGS)
Устойчивость к внешним воздействиям: 5 Ом
Максимальная мощность: 350 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Формируемые выводы
Поставщик Упаковка устройства: ТО-92-3
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z