ON RFD16N05SM
N-канальный50 V16A (Tc)4 В @ 250 мкА72 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьRFD16N05SM
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The RFD16N05 and RFD16N05SM N-channel power MOSFETs are manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits.Formerly developmental type TA09771.
Features
Tube Package
16A, 50V
rDS(ON)= 0.047Ω
Temperature Compensating PSPICE? Model
Peak Current vs Pulse Width Curve
UIS Rating Curve
175°C Operating Temperature
Related Literature
?- TB334 “Guidelines for Soldering Surface MountComponents to PC Boards”
Applications
AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
Workstation
Server & Mainframe
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
RFD14N05SM9A
onsemi
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
RFD14N05SM
onsemi
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
RFD15P05
Fairchild Semiconductor
MOSFET P-CH 50V 15A I-PAK
RFD16N05
onsemi
MOSFET N-CH 50V 16A I-PAK
RFD16N05LSM
Intersil
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
RFD16N05
onsemi
N-CHANNEL POWER MOSFET
RFD16N05LSM
Intersil
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
RFD14N05SM
onsemi
MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
RFD14N05SM9A
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 50 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 16A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 47 мОм @ 16 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 80 нК при 20 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 900 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 72 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: TO-252AA
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23