ON RFP12N10L
N-канальный100 V12A (Tc)2 В @ 250 мкА60 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьRFP12N10L
MOSFET N-CH 100V 12A TO220-3
₽8.89
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
Features
Tube Packagea continuous drain current (ID) of 12A
a drain-to-source breakdown voltage of 100V voltage
the turn-off delay time is 100 ns
a threshold voltage of 2V
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
RFP12N10L applications of single MOSFETs transistors.
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
- Lighting, Server, Telecom and UPS.
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 12A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 5V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 200 мОм @ 12 А, 5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 250 мкА
Максимальное напряжение источника затвора: ±10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 900 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 60 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23