ON SCH2825-TL-E
N-канальный30 V1,6A (Ta)600 мВт (Ta)-55°C ~ 125°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSCH2825-TL-E
MOSFET N-CH 30V 1.6A 6SCH
₽21.99
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
SCH2819-TL-H with pin details manufactured by SANYO. The SCH2819-TL-H is available in SCH6 Package, is part of the IC Chips.
SCH2822-TL-E with circuit diagram manufactured by SANYO. The SCH2822-TL-E is available in SCH6 Package, is part of the IC Chips.
Features
Tape & Reel (TR) Packagea continuous drain current (ID) of 1.6A
the turn-off delay time is 10.6 ns
a 30V drain to source voltage (Vdss)
Surface Mount Mounting Type
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
SCH2825-TL-E applications of single MOSFETs transistors.
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 1,6A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 180 мОм @ 800 мА, 10 В
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 2 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 88 пФ @ 10 В
Характеристика FET: Диод Шоттки (изолированный)
Максимальная рассеиваемая мощность: 600 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: 6-SCH
Упаковка / Кейс: 6-SMD, плоские выводы
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3