ON SFT1440-E
N-канальный600 V1,5 А (Ta)1 Вт (Ta), 20 Вт (Tc)150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьSFT1440-E
MOSFET N-CH 600V 1.5A TP
₽6.87
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The SFT1431-E is MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES, that includes SFT1431 Series, they are designed to operate with a Bulk Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.139332 oz, that offers Mounting Style features such as Through Hole, Package Case is designed to work in IPAK-3, as well as the Si Technology, the device can also be used as 1 Channel Number of Channels. In addition, the Transistor Type is 1 N-Channel, the device is offered in 1 W Pd Power Dissipation, the device has a 11 A of Id Continuous Drain Current, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 35 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 25 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel.
SFT1431-W with EDA / CAD Models, that includes Si Technology.
Features
Bag Packagea continuous drain current (ID) of 1.5A
the turn-off delay time is 18 ns
a 600V drain to source voltage (Vdss)
IPAK/TP Supplier Device Package
Applications
There are a lot of ON Semiconductor
SFT1440-E applications of single MOSFETs transistors.
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Сумка
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 1,5 А (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 8,1 Ом @ 800 мА, 10 В
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 6,3 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±30V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 130 пФ @ 30 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1 Вт (Ta), 20 Вт (Tc)
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: IPAK/TP
Упаковка / Кейс: TO-251-3 Короткие выводы, IPak, TO-251AA
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3