Свяжитесь с нами
pусский
SSD2009ATF

ON SSD2009ATF

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)50V3A130 мОм @ 3 А, 10 В3 В @ 250 мкА

Сравнить
onsemi
SSD2009ATF
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
SSD2009ATF Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The SSD2007ASTF is MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC, that includes Tape & Reel (TR) Packaging, they are designed to operate with a 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Package Case, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), that offers Mounting Type features such as Surface Mount, Supplier Device Package is designed to work in 8-SOP, as well as the 2 N-Channel (Dual) FET Type, the device can also be used as 2W Power Max. In addition, the Drain to Source Voltage Vdss is 50V, the device is offered in Logic Level Gate FET Feature, the device has a 2A of Current Continuous Drain Id 25°C, and Rds On Max Id Vgs is 300 mOhm @ 1.5A, 10V, and the Vgs th Max Id is 4V @ 250μA, and Gate Charge Qg Vgs is 15nC @ 10V.

The SSD2009 is MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC manufactured by FAIRCHILD. The SSD2009 is available in 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Package, is part of the FETs - Arrays, , and with support for MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC.

Features

Bulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
50V Drain to Source Voltage (Vdss)
3A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
130mOhm @ 3A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
25nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
2W Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 50V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 3A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 130 мОм @ 3 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 25nC @ 10V
Максимальная мощность: 2W
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z