ON SSN1N45BTA
N-канальный450 V500 мА (Тс)3,7 В @ 250 мкА900 мВт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьSSN1N45BTA
MOSFET N-CH 450V 500MA TO92-3
₽16.32
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for electronic ballasts based on half bridge configuration.
Features
Cut Tape (CT) Package0.5A, 450V, RDS(on) = 4.25Ω @VGS = 10 V
Low gate charge ( typical 6.5 nC)
Low Crss ( typical 6.5 pF)
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
Gate-Source Voltage ± 50V guaranteed
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Разрезанная лента (CT)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 450 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 500 мА (Тс)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 4,25 Ом @ 250 мА, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,7 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 8,5 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±50V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 240 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 900 мВт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: ТО-92-3
Упаковка / Кейс: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Формируемые выводы
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3