ON STD24N06LT4G
N-канальный60 V24A (Tc)2 В @ 250 мкА1,36 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tj)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTD24N06LT4G
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Нет технического описания
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The STD21W-Y is WIRE & CABLE MARKERS, that includes White Color, they are designed to operate with a Polyoxymethylene Material, Series is shown on datasheet note for use in a Snap-On, that offers Type features such as Wire Marker, Clip-On, Packaging is designed to work in 50 per Pkg, as well as the 0.43" ~ 0.61" (11.0mm ~ 15.5mm) Cable Diameter, the device can also be used as Y Legend.
The STD22NM20NT4 is MOSFET N-CH 200V 22A DPAK manufactured by ST. The STD22NM20NT4 is available in TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 200V 22A DPAK, N-Channel 200V 22A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D-Pak, Trans MOSFET N-CH 200V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R.
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
60 V Drain to Source Voltage (Vdss)
24A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
45mOhm @ 10A, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
32 nC @ 5 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±15V Vgs (Max)
1140 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
DPAK Supplier Device Package
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
_tmb.jpg)
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 24A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 5V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 45 мОм @ 10 А, 5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 32 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±15V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1140 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,36 Вт (Ta), 62,5 Вт (Tj)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: DPAK
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA