ON SVD5865NLT4G
N-канальный60 V10A (Ta), 46A (Tc)2 В @ 250 мкА3,1 Вт (Ta), 71 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSVD5865NLT4G
MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
Нет технического описания
₽22.45
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
The SVD5804NT4G is MOSFET NFET 40V SPCL TR, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a 0.139332 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a SMD/SMT, that offers Package Case features such as TO-252-3, Technology is designed to work in Si, as well as the 40 V Vds Drain Source Breakdown Voltage.
SVD501DEAGTR with EDA / CAD Models manufactured by TRACKING. The SVD501DEAGTR is available in SOT23 Package, is part of the IC Chips.
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
60 V Drain to Source Voltage (Vdss)
10A (Ta), 46A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
16mOhm @ 19A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
29 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
1400 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3.1W (Ta), 71W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 16 мОм @ 19 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 29 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1400 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,1 Вт (Ta), 71 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: DPAK-3
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET