Свяжитесь с нами
pусский
HIP2101EIBZ

Renesas HIP2101EIBZ

Полумост29 В ~ 14 В

Сравнить
Renesas Electronics America Inc.
HIP2101EIBZ
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
HIP2101EIBZ Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽7.21

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The HIP2101EIBZ is a high frequency, 100V Half Bridge N-Channel power MOSFET driver IC. It is equivalent to the HIP2100 with the added advantage of full TTL/CMOS compatible logic input pins. The low-side and high-side gate drivers are independently controlled and matched to 13ns. This gives users total control over dead time for specific power circuit topologies. Undervoltage protection on both the low-side and high-side supplies force the outputs low. An on-chip diode eliminates the discrete diode required with other driver ICs. A new level-shifter topology yields the low-power benefits of pulsed operation with the safety of DC operation. Unlike some competitors, the high-side output returns to its correct state after a momentary undervoltage of the high-side supply.

Features

Tube Package
2 drivers
8 pins

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of Intersil (Renesas Electronics America)
HIP2101EIBZ gate drivers applications.

  • PCMCIA applications
  • A/D drivers
  • Line drivers
  • Portable computers
  • High-speed communications
  • RGB applications
  • Broadcast equipment
  • Active filtering
  • Head-up and Head mounted displays
  • High current laser/LED systems
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Программируемые устройства: Не проверено
Управляемая конфигурация: Полумост
Тип канала: Независимый
Количество водителей: 2
Тип ворот: N-канальный МОП-транзистор
Напряжение питания: 9 В ~ 14 В
Уровни напряжения для логических низкого и высокого уровней: 0,8 В, 2,2 В
Ток - пиковый выходной (источник, сток): 2A, 2A
Тип входа: Неинвертирующий
Максимальное напряжение на высокой стороне (Bootstrap): 114 V
Время нарастания / спада (типичное): 10ns, 10ns
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (0,154", ширина 3,90 мм) Открытая площадка
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC-EP
Renesas Electronics America Inc.

Renesas Electronics America Inc.

Renesas Electronics America Inc. является американским филиалом корпорации Renesas Electronics, отвечающим за проектирование, разработку, продажи и техническую поддержку на североамериканском рынке. Штаб-квартира компании находится в Сан-Хосе, Калифорния.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z