Свяжитесь с нами
pусский
2ST501T

ST 2ST501T

NPN - Дарлингтон4 A350 V

Сравнить
STMicroelectronics
2ST501T
TRANS NPN DARL 350V 4A TO220
2ST501T Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽137.68

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The 2ST31A is TRANS NPN 60V 3A TO-220, that includes 500V Transistors Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.081130 oz, that offers Mounting Style features such as Through Hole, Package Case is designed to work in TO-220-3, as well as the Through Hole Mounting Type, the device can also be used as TO-220AB Supplier Device Package. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in 40W Power Max, the device has a NPN of Transistor Type, and Current Collector Ic Max is 3A, and the Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 60V, and DC Current Gain hFE Min Ic Vce is 100 @ 20mA, 4V, and the Vce Saturation Max Ib Ic is 1.2V @ 375mA, 3A, and Current Collector Cutoff Max is 300μA, and the Pd Power Dissipation is 40 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, and the Collector Emitter Voltage VCEO Max is 60 V, and Transistor Polarity is NPN, and the Collector Emitter Saturation Voltage is 1.2 V, and Collector Base Voltage VCBO is 60 V, and the Emitter Base Voltage VEBO is 5 V, and Maximum DC Collector Current is 5 A, and the Continuous Collector Current is 3 A, and DC Collector Base Gain hfe Min is 150.

2ST1781K with circuit diagram manufactured by ROHM. The 2ST1781K is available in SOT-23 Package, is part of the IC Chips.

Features

Tube Package
the DC current gain for this device is 2000 @ 2A 2V
a collector emitter saturation voltage of 1.5V
the vce saturation(Max) is 1.5V @ 2mA, 2A
the emitter base voltage is kept at 5V
the supplier device package of TO-220AB

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of STMicroelectronics
2ST501T applications of single BJT transistors.

  • Inverter
  • Interface
  • Driver
  • Muting
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип транзистора: NPN - Дарлингтон
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 4 A
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 350 V
Максимальное напряжение насыщения коллектора и эмиттера при токе базы и токе коллектора: 1,5 В @ 2 мА, 2A
Ток - отключение коллектора (макс.): 100 мкА
Усиление постоянного тока (hFE) Минимум при Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2В
Максимальная мощность: 100 W
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Пакет / футляр: TO-220-3
Поставщик Упаковка устройства: TO-220
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z