Свяжитесь с нами
pусский
L6387ED

ST L6387ED

Полумост217 В (макс.)

Сравнить
STMicroelectronics
L6387ED
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
L6387ED Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽96.83

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The L6387ED is a simple and compact high voltage gate driver, manufactured with the BCD? “offline” technology, and able to drive a half-bridge of power MOSFET or IGBT devices. The high-side (floating) section is enabled to work with voltage rail up to 600 V. Both device outputs can independently sink and source 650 mA and 400 mA respectively and cannot be simultaneously driven high thanks to an integrated interlocking function.

The L6387ED device provides two input pins and two output pins and guarantees the outputs toggle in phase with inputs. The logic inputs are CMOS/TTL compatible to ease the interfacing with controlling devices. The L6387ED features the UVLO protection on the VCCsupply voltage and integrates the bootstrap diode, allowing a more compact and reliable solution. The device is available in a DIP-8 tube and SO-8 tube and tape and reel packaging options.

Features

Tube Package
Embedded in the Tube package
Employing a gate type of IGBT, N-Channel MOSFET
8 pins
High-side voltage - Max (Bootstrap) of 600V
Maximum power dissipation of 750mW

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of STMicroelectronics
L6387ED gate drivers applications.

  • A/D drivers
  • Line drivers
  • Portable computers
  • High-speed communications
  • RGB applications
  • Broadcast equipment
  • Active filtering
  • Head-up and Head mounted displays
  • High current laser/LED systems
  • LCD/LCoS/DLP portable and embedded pico projectors
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Программируемые устройства: Не проверено
Управляемая конфигурация: Полумост
Тип канала: Независимый
Количество водителей: 2
Тип ворот: IGBT, N-канальный MOSFET
Напряжение питания: 17 В (макс.)
Уровни напряжения для логических низкого и высокого уровней: 1,5 В, 3,6 В
Ток - пиковый выходной (источник, сток): 400 мА, 650 мА
Тип входа: Инвертирование
Максимальное напряжение на высокой стороне (Bootstrap): 600 V
Время нарастания / спада (типичное): 50ns, 30ns
Рабочая температура: -45°C ~ 125°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z