Свяжитесь с нами
pусский
STGW60H65F

ST STGW60H65F

650 V120 A750 мкДж (вкл.), 1,05 мДж (выкл.)-55°C ~ 150°C (TJ)TO-247-3

Сравнить
STMicroelectronics
STGW60H65F
IGBT 650V 120A 360W TO247
STGW60H65F Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The STGW60H65DFB is IGBT 650V 80A 375W TO-247, that includes 600-650V IGBTs Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 1.340411 oz, that offers Mounting Style features such as Through Hole, Package Case is designed to work in TO-247-3, as well as the Standard Input Type, the device can also be used as Through Hole Mounting Type. In addition, the Supplier Device Package is TO-247, the device is offered in Single Configuration, the device has a 375W of Power Max, and Reverse Recovery Time trr is 60ns, and the Current Collector Ic Max is 80A, and Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 650V, and the IGBT Type is Trench Field Stop, and Current Collector Pulsed Icm is 240A, and the Vce on Max Vge Ic is 2V @ 15V, 60A, and Switching Energy is 1.09mJ (on), 626μJ (off), and the Gate Charge is 306nC, and Td on off 25°C is 51ns/160ns, and the Test Condition is 400V, 60A, 5 Ohm, 15V, and Pd Power Dissipation is 375 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Collector Emitter Voltage VCEO Max is 650 V, and Collector Emitter Saturation Voltage is 1.6 V, and the Continuous Collector Current at 25 C is 80 A, and Gate Emitter Leakage Current is 250 nA, and the Maximum Gate Emitter Voltage is 20 V, and Continuous Collector Current Ic Max is 60 A.

The STGW60H65DF is IGBT 650V 120A 360W TO247, that includes 2.1 V Collector Emitter Saturation Voltage, they are designed to operate with a 650 V Collector Emitter Voltage VCEO Max, Continuous Collector Current at 25 C is shown on datasheet note for use in a 120 A, that offers Current Collector Ic Max features such as 120A, Current Collector Pulsed Icm is designed to work in 240A, as well as the 206nC Gate Charge, the device can also be used as Trench Field Stop IGBT Type. In addition, the Input Type is Standard, the device is offered in 20 V Maximum Gate Emitter Voltage, the device has a Through Hole of Mounting Type, and Mounting Style is Through Hole, and the Package Case is TO-247-3, and Packaging is Tube, and the Pd Power Dissipation is 360 W, and Power Max is 360W, and the Reverse Recovery Time trr is 62ns, and Series is 600-650V IGBTs, and the Supplier Device Package is TO-247, and Switching Energy is 1.5mJ (on), 1.1mJ (off), and the Td on off 25°C is 67ns/165ns, and Test Condition is 400V, 60A, 10 Ohm, 15V, and the Unit Weight is 0.229281 oz, and Vce on Max Vge Ic is 1.9V @ 15V, 60A, and the Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 650V.

Features

Tube Package
  • High-speed switching

  • Tight parameter distribution

  • Low thermal resistance

  • 6 μs short-circuit withstand time

  • Lead-free package

  • Safe paralleling


Through Hole Mounting Type

Applications

  • Induction Heating

  • Large Solenoids

  • Tesla Coils

  • Microwave Oven

  • Converters or Inverter circuits


Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип IGBT: Полевая остановка в траншее
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 650 V
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 120 A
Ток - импульсный ток коллектора (Iсм): 240 A
Максимальное напряжение коллектора-эмиттера в состоянии покоя при напряжении затвора-эмиттера и токе коллектора: 1,9 В @ 15 В, 60 А
Максимальная мощность: 360 W
Переключение энергии: 750 мкДж (вкл.), 1,05 мДж (выкл.)
Тип входа: Стандарт
Заградительный сбор: 217 nC
Время задержки включения/выключения при 25°C: 65нс/180нс
Условия испытаний: 400 В, 60 А, 10 Ом, 15 В
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-247-3
Поставщик Упаковка устройства: TO-247-3
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z