Свяжитесь с нами
pусский
STP12IE90F4

ST STP12IE90F4

NPN - биполярный эмиттер с коммутациейДрайвер затвора900V

Сравнить
STMicroelectronics
STP12IE90F4
TRANS BIPO EMITTER SW TO-220FP-4
STP12IE90F4 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The STP120NF10 is MOSFET N-CH 100V 110A TO-220, that includes STripFET? II Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.050717 oz, that offers Mounting Style features such as Through Hole, Package Case is designed to work in TO-220-3, as well as the Si Technology, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 175°C (TJ). In addition, the Mounting Type is Through Hole, the device is offered in 1 Channel Number of Channels, the device has a TO-220AB of Supplier Device Package, and Configuration is Single, and the FET Type is MOSFET N-Channel, Metal Oxide, and Power Max is 312W, and the Transistor Type is 1 N-Channel, and Drain to Source Voltage Vdss is 100V, and the Input Capacitance Ciss Vds is 5200pF @ 25V, and FET Feature is Standard, and the Current Continuous Drain Id 25°C is 110A (Tc), and Rds On Max Id Vgs is 10.5 mOhm @ 60A, 10V, and the Vgs th Max Id is 4V @ 250μA, and Gate Charge Qg Vgs is 233nC @ 10V, and the Pd Power Dissipation is 312 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and Fall Time is 68 ns, and the Rise Time is 90 ns, and Vgs Gate Source Voltage is 20 V, and the Id Continuous Drain Current is 120 A, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 100 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 10.5 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 132 ns, and Typical Turn On Delay Time is 25 ns, and the Forward Transconductance Min is 90 S, and Channel Mode is Enhancement.

The STP120NH03L is MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 manufactured by ST. The STP120NH03L is available in TO-220-3 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 30V 60A TO-220, N-Channel 30V 60A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB.

Features

ESBT® Series


  • Cascode arrangement with high voltage and current

  • Low resistance equivalent

  • Extremely quick switching up to 150 kHz

  • RBSOA squared up to 900V



Through Hole Mounting Type

Applications


  • SMPS flyback for the adapter

  • Desktop flyback/forward SMPS


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: ESBT®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Тип транзистора: NPN - биполярный эмиттер с коммутацией
Примеры использования: Драйвер затвора
Номинальное напряжение: 900V
Номинальный ток (амперы): 12A
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-220-4 Полный комплект
Поставщик Упаковка устройства: TO-220FP
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z