Свяжитесь с нами
pусский
AUIRFN8458TR

Infineon AUIRFN8458TR

MOSFET (оксид металла)2 N-канала (сдвоенные)40V43A (Tc)10 мОм @ 26 А, 10 В3,9 В @ 25 мкА

Сравнить
Infineon Technologies
AUIRFN8458TR
MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽96.88

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The AUIRFN8403TR is MOSFET Automotive HEXFET COOLiRFET, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a SMD/SMT Mounting Style, Package Case is shown on datasheet note for use in a PQFN-8, that offers Technology features such as Si, Number of Channels is designed to work in 1 Channel, as well as the Single Configuration, the device can also be used as 1 N-Channel Transistor Type. In addition, the Pd Power Dissipation is 4.3 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 175 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55C, and Fall Time is 26 ns, and the Rise Time is 37 ns, and Vgs Gate Source Voltage is 20 V, and the Id Continuous Drain Current is 95 A, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 40 V, and the Vgs th Gate Source Threshold Voltage is 3.9 V, and Rds On Drain Source Resistance is 3.3 mOhms, and the Transistor Polarity is N-Channel, and Typical Turn Off Delay Time is 33 ns, and the Typical Turn On Delay Time is 11 ns, and Qg Gate Charge is 65 nC, and the Forward Transconductance Min is 159 S, and Channel Mode is Enhancement.

AUIRFN8405TR with circuit diagram, that includes Reel Packaging, they are designed to operate with a Si Technology.

Features

HEXFET® Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
40V Drain to Source Voltage (Vdss)
43A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10mOhm @ 26A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9V @ 25µA Vgs(th) (Max) @ Id
33nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1060pF @ 25V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
34W (Tc) Power - Max
Surface Mount Mounting Type
PQFN (5x6) Supplier Device Package
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 43A (Tc)
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 10 мОм @ 26 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,9 В @ 25 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 33nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1060 пФ @ 25 В
Максимальная мощность: 34 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
Поставщик Упаковка устройства: PQFN (5x6)
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z