Infineon IRF7309TRPBF
MOSFET (оксид металла)N- и P-каналы30V4A, 3A50 мОм @ 2,4 А, 10 В1 В @ 250 мкА
СравнитьIRF7309TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
₽31.33
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
Features
HEXFET® SeriesGeneration Technology
Ultra Low On-Resistance
Dual N and P Channel Mosfet
Surface Mount
Available in Tape&Reel
Dynamic dv/dt Rating
Fast Switching Lead-Free
Surface Mount Mounting Type
Applications
This advantage, combined with HEXFET Power MOSFET's well-known fast switching speed and rough device design, provides designers with an extremely efficient device used in a variety of applications.
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
IRF7309PBF
Infineon Technologies
P-CHANNEL POWER MOSFET
IRF7304PBF
International Rectifier
AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
IRF7304
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
IRF7304TR
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
IRF7304PBF
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
IRF7309PBF
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Конфигурация: N- и P-каналы
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 4A, 3A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 50 мОм @ 2,4 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 25nC @ 4,5 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 520пФ @ 15В
Максимальная мощность: 1.4W
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SO
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC