Свяжитесь с нами
pусский
BC856S E6433

Infineon BC856S E6433

2 PNP (двойной)100 мА65V

Сравнить
Infineon Technologies
BC856S E6433
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽2.54

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The BC 850B E6327 is Bipolar Transistors - BJT NPN SilicnAF TRNSTRS, that includes BC850 Series, they are designed to operate with a Reel Packaging, Part Aliases is shown on datasheet note for use in a BC850BE6327HTSA1 BC850BE6327XT SP000010572, that offers Unit Weight features such as 0.050717 oz, Mounting Style is designed to work in SMD/SMT, as well as the SOT-23-3 Package Case, the device can also be used as Single Configuration. In addition, the Pd Power Dissipation is 330 mW, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 65 C, and Collector Emitter Voltage VCEO Max is 45 V, and the Transistor Polarity is NPN, and Collector Base Voltage VCBO is 50 V, and the Emitter Base Voltage VEBO is 6 V, and Maximum DC Collector Current is 0.1 A, and the Gain Bandwidth Product fT is 250 MHz (Typ), and Continuous Collector Current is 0.1 A.

The BC 850CW H6327 is Bipolar Transistors - BJT AF TRANSISTOR, that includes SOT-323 Package Case, they are designed to operate with a SMD/SMT Mounting Style, Packaging is shown on datasheet note for use in a Reel, that offers Transistor Polarity features such as NPN, Part Aliases is designed to work in BC850CWH6327XT BC850CWH6327XTSA1 SP000747418, as well as the BC850 Series, the device can also be used as 600 mV Collector Emitter Saturation Voltage. In addition, the Emitter Base Voltage VEBO is 6 V, the device is offered in 50 V Collector Emitter Voltage VCEO Max, the device has a 50 V of Collector Base Voltage VCBO, and Pd Power Dissipation is 330 mW, and the Maximum DC Collector Current is 100 mA, and Continuous Collector Current is 100 mA, and the Unit Weight is 0.002116 oz.

Features

Bulk Package
2 PNP (Dual) Transistor Type
100mA Current - Collector (Ic) (Max)
65V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650mV @ 5mA, 100mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
15nA (ICBO) Current - Collector Cutoff (Max)
200 @ 2mA, 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250mW Power - Max
250MHz Frequency - Transition
150°C (TJ) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип транзистора: 2 PNP (двойной)
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 100 мА
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 65V
Максимальное напряжение насыщения коллектора и эмиттера при токе базы и токе коллектора: 650 мВ при 5 мА, 100 мА
Ток - отключение коллектора (макс.): 15нА (ICBO)
Усиление постоянного тока (hFE) Минимум при Ic, Vce: 200 @ 2 мА, 5 В
Максимальная мощность: 250 мВт
Частота - Переход: 250 МГц
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 6-ВСОП, SC-88, SOT-363
Поставщик Упаковка устройства: SOT-363
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z