Свяжитесь с нами
pусский
BSD840NH6327XTSA1

Infineon BSD840NH6327XTSA1

MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 N-канала (сдвоенные)20V880 мА400 мОм @ 880 мА, 2,5 В750 мВ при 1,6 мкА

Сравнить
Infineon Technologies
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽8.06

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.

Features

OptiMOS™ Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
20V Drain to Source Voltage (Vdss)
880mA Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
400mOhm @ 880mA, 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
750mV @ 1.6µA Vgs(th) (Max) @ Id
0.26nC @ 2.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
78pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type

Applications

? Dual N-channel

? Enhancement mode

? Ultra Logic level (1.8V rated)

? Avalanche rated

? Qualified according to AEC Q101

? 100% lead-free; RoHS compliant

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

 

BSD840NH6327XTSA1          Applications

Switches

 



 

Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: OptiMOS™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 880 мА
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 400 мОм @ 880 мА, 2,5 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 750 мВ при 1,6 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 0,26 нК при 2,5 В
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 78пФ @ 10В
Максимальная мощность: 500 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 6-ВСОП, SC-88, SOT-363
Поставщик Упаковка устройства: PG-SOT363-PO
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z