Свяжитесь с нами
pусский
IKW30N60DTP

Infineon IKW30N60DTP

600 V53 A710 мкДж (вкл.), 420 мкДж (выкл.)-40°C ~ 175°C (TJ)TO-247-3

Сравнить
Infineon Technologies
IKW30N60DTP
HIGH SPEED IGBT
IKW30N60DTP Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽189.86

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The IKW25N120T2 is IGBT 1200V 50A 349W TO247-3, that includes TrenchStopR Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Part Aliases is shown on datasheet note for use in a IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2XK SP000244960, that offers Unit Weight features such as 1.340411 oz, Mounting Style is designed to work in Through Hole, as well as the TO-247-3 Package Case, the device can also be used as Standard Input Type. In addition, the Mounting Type is Through Hole, the device is offered in PG-TO247-3 Supplier Device Package, the device has a Single of Configuration, and Power Max is 349W, and the Reverse Recovery Time trr is 195ns, and Current Collector Ic Max is 50A, and the Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 1200V, and IGBT Type is Trench, and the Current Collector Pulsed Icm is 100A, and Vce on Max Vge Ic is 2.2V @ 15V, 25A, and the Switching Energy is 2.9mJ, and Gate Charge is 120nC, and the Td on off 25°C is 27ns/265ns, and Test Condition is 600V, 25A, 16.4 Ohm, 15V, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 40 C, and the Collector Emitter Voltage VCEO Max is 1200 V, and Collector Emitter Saturation Voltage is 2.2 V, and the Maximum Gate Emitter Voltage is +/- 20 V, and Continuous Collector Current Ic Max is 50 A.

IKW25T120=K25T120 with EDA / CAD Models manufactured by INF. The IKW25T120=K25T120 is available in TO-3P Package, is part of the IC Chips.

Features

TRENCHSTOP™ Series
Bulk Package
Trench Field Stop IGBT Type
600 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
53 A Current - Collector (Ic) (Max)
90 A Current - Collector Pulsed (Icm)
1.8V @ 15V, 30A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
200 W Power - Max
710µJ (on), 420µJ (off) Switching Energy
Standard Input Type
130 nC Gate Charge
15ns/179ns Td (on/off) @ 25°C
400V, 30A, 10.5Ohm, 15V Test Condition
76 ns Reverse Recovery Time (trr)
Through Hole Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: TRENCHSTOP™
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип IGBT: Полевая остановка в траншее
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 600 V
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 53 A
Ток - импульсный ток коллектора (Iсм): 90 A
Максимальное напряжение коллектора-эмиттера в состоянии покоя при напряжении затвора-эмиттера и токе коллектора: 1,8 В @ 15 В, 30 А
Максимальная мощность: 200 W
Переключение энергии: 710 мкДж (вкл.), 420 мкДж (выкл.)
Тип входа: Стандарт
Заградительный сбор: 130 nC
Время задержки включения/выключения при 25°C: 15нс/179нс
Условия испытаний: 400 В, 30 А, 10,5 Ом, 15 В
Время обратного восстановления (trr): 76 нс
Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-247-3
Поставщик Упаковка устройства: PG-TO247-3
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z