Свяжитесь с нами
pусский
IR2101S

Infineon IR2101S

Полумост210 В ~ 20 В

Сравнить
Infineon Technologies
IR2101S
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IR2101S Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽14.74

Обновление цены:2025-02-25

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The IR2101(S)/IR2102(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output drivers feature a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high side configuration which operates up to 600 volts.

Features • Floating channel designed for bootstrap operation Fully operational to +600V Tolerant to negative transient     voltage dV/dt immune • Gate drive supply range from 10 to 20V • Undervoltage lockout • 3.3V, 5V, and 15V logic input compatible • Matched propagation delay for both channels • Outputs in phase with inputs (IR2101) or out of phase with inputs (IR2102) • Also available LEAD-FREE

Features

Tube Package
Embedded in the Tube package
2 drivers
Employing a gate type of IGBT, N-Channel MOSFET
High-side voltage - Max (Bootstrap) of 600V

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of Infineon Technologies
IR2101S gate drivers applications.

  • Head-up and Head mounted displays
  • High current laser/LED systems
  • LCD/LCoS/DLP portable and embedded pico projectors
  • Multicolor LED/laser displays
  • Smart Phones
  • Portable Navigation Devices
  • Portable Media Players
  • Motor Controls
  • DC-DC Converters
  • AC-DC Inverters
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Программируемые устройства: Не проверено
Управляемая конфигурация: Полумост
Тип канала: Независимый
Количество водителей: 2
Тип ворот: IGBT, N-канальный MOSFET
Напряжение питания: 10 В ~ 20 В
Уровни напряжения для логических низкого и высокого уровней: 0,8 В, 3 В
Ток - пиковый выходной (источник, сток): 210 мА, 360 мА
Тип входа: Неинвертирующий
Максимальное напряжение на высокой стороне (Bootstrap): 600 V
Время нарастания / спада (типичное): 100ns, 50ns
Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z