Свяжитесь с нами
pусский
IRF7303PBF

Infineon IRF7303PBF

MOSFET (оксид металла)2 N-канала (сдвоенные)30V4.9A50 мОм @ 2,4 А, 10 В1 В @ 250 мкА

Сравнить
Infineon Technologies
IRF7303PBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
IRF7303PBF Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽37.83

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

Fith Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.

·Generation V Technology ·UItra Low On-Resistance ·Dual N-Channel Mosfet ·Surface Mount ·Available in Tape & Reel ·Dynamic dv/dt Rating ·Fast Switching ·Lead-Free

Features

HEXFET® Series


  • Generation V Technology

  • Ultra-Low On-Resistance

  • Dual N-Channel Mosfet

  • Surface Mount

  • Available in Tape & Reel

  • Dynamic dv/dt Rating

  • Fast Switching

  • Lead-Free



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • High-speed power switching

  • Hard switched and high-frequency circuits


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Снято с производства в
Технология: MOSFET (оксид металла)
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 4.9A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 50 мОм @ 2,4 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 25nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 520пФ @ 25В
Максимальная мощность: 2W
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SO
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z