Свяжитесь с нами
pусский
IRF7319TRPBF

Infineon IRF7319TRPBF

MOSFET (оксид металла)N- и P-каналы30V29 мОм @ 5,8 А, 10 В1 В @ 250 мкА

Сравнить
Infineon Technologies
IRF7319TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽22.98

Обновление цены:2025-03-09

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

· Generation V Technology· UlItra Low On-Resistance· Dual N and P Channel MOSFET· Surface Mount· Fully Avalanche Rated· Lead-FreeFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering technigues

Features

HEXFET® Series


Generation VTechnology

Ultra Low On-Resistance

Dual N and P Channel MOSFET

Surface Mount

Fully Avalanche Rated

Lead-Free


Surface Mount Mounting Type

Applications


it provides designers with an extremely efficient and reliable device that can be used in a variety of applications.

 




 



Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Конфигурация: N- и P-каналы
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 29 мОм @ 5,8 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 33nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 650пФ @ 25В
Максимальная мощность: 2W
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SO
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z