Свяжитесь с нами
pусский
APT25GP90BG

Microsemi APT25GP90BG

900 V72 A370 мкДж (в выключенном состоянии)-55°C ~ 150°C (TJ)TO-247-3

Сравнить
Microsemi Corporation
APT25GP90BG
IGBT 900V 72A 417W TO247
APT25GP90BG Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽808.12

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

APT25GP90B with pin details manufactured by APT. The APT25GP90B is available in MODULE Package, is part of the Module.

APT25GP90BDQ1G with circuit diagram manufactured by APT. The APT25GP90BDQ1G is available in MODULE Package, is part of the Module, IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B], Trans IGBT Chip N-CH 900V 72A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247, IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi.

Features

POWER MOS 7® Series
Tube Package
PT IGBT Type
900 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
72 A Current - Collector (Ic) (Max)
110 A Current - Collector Pulsed (Icm)
3.9V @ 15V, 25A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
417 W Power - Max
370µJ (off) Switching Energy
Standard Input Type
110 nC Gate Charge
13ns/55ns Td (on/off) @ 25°C
600V, 25A, 5Ohm, 15V Test Condition
Through Hole Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: POWER MOS 7®
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип IGBT: PT
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 900 V
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 72 A
Ток - импульсный ток коллектора (Iсм): 110 A
Максимальное напряжение коллектора-эмиттера в состоянии покоя при напряжении затвора-эмиттера и токе коллектора: 3,9 В @ 15 В, 25 А
Максимальная мощность: 417 W
Переключение энергии: 370 мкДж (в выключенном состоянии)
Тип входа: Стандарт
Заградительный сбор: 110 нК
Время задержки включения/выключения при 25°C: 13нс/55нс
Условия испытаний: 600 В, 25 А, 5 Ом, 15 В
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-247-3
Поставщик Упаковка устройства: TO-247 [B]
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation - поставщик высокопроизводительных полупроводников и системных решений, ориентированных на рынки коммуникаций, обороны и безопасности, аэрокосмической промышленности и промышленности. Компания была основана в 1959 году, ее штаб-квартира находится в Алисо-Вьехо, Калифорния, США. В 2018 году Microsemi была приобретена компанией Microchip Technology.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z