Свяжитесь с нами
pусский
BCP68,115

NXP BCP68,115

NPN1 A20 V

Сравнить
NXP USA Inc.
BCP68,115
NOW NEXPERIA BCP68 POWER BIPOLAR
BCP68,115 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽5.57

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The BCP56TA is TRANS NPN 80V 1A SOT223-4, that includes BCP56 Series, they are designed to operate with a Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.000282 oz, that offers Mounting Style features such as SMD/SMT, Package Case is designed to work in TO-261-4, TO-261AA, as well as the Surface Mount Mounting Type, the device can also be used as SOT-223 Supplier Device Package. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in 2W Power Max, the device has a NPN of Transistor Type, and Current Collector Ic Max is 1A, and the Voltage Collector Emitter Breakdown Max is 80V, and DC Current Gain hFE Min Ic Vce is 40 @ 150mA, 2V, and the Vce Saturation Max Ib Ic is 500mV @ 50mA, 500mA, and Current Collector Cutoff Max is 100nA (ICBO), and the Frequency Transition is 150MHz, and Pd Power Dissipation is 2000 mW, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and the Collector Emitter Voltage VCEO Max is 80 V, and Transistor Polarity is NPN, and the Collector Emitter Saturation Voltage is 500 mV, and Collector Base Voltage VCBO is 100 V, and the Emitter Base Voltage VEBO is 5 V, and Maximum DC Collector Current is 1 A, and the Gain Bandwidth Product fT is 150 MHz, and DC Collector Base Gain hfe Min is 40, and the DC Current Gain hFE Max is 250.

The BCP68 E6327 is TRANS NPN 20V 1A SOT-223 manufactured by INFINEON. The BCP68 E6327 is available in TO-261-4, TO-261AA Package, is part of the Transistors (BJT) - Single, , and with support for TRANS NPN 20V 1A SOT-223.

Features

Bulk Package
NPN Transistor Type
1 A Current - Collector (Ic) (Max)
20 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500mV @ 100mA, 1A Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100nA (ICBO) Current - Collector Cutoff (Max)
85 @ 500mA, 1V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1.4 W Power - Max
170MHz Frequency - Transition
150°C (TJ) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип транзистора: NPN
Коллекторный ток (Ic) (макс.): 1 A
Максимальное напряжение пробоя коллектора и эмиттера: 20 V
Максимальное напряжение насыщения коллектора и эмиттера при токе базы и токе коллектора: 500 мВ при 100 мА, 1 А
Ток - отключение коллектора (макс.): 100 нА (ICBO)
Усиление постоянного тока (hFE) Минимум при Ic, Vce: 85 @ 500 мА, 1 В
Максимальная мощность: 1.4 W
Частота - Переход: 170 МГц
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: К-261-4, К-261АА
Поставщик Упаковка устройства: SOT-223
NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc. является американским филиалом компании NXP Semiconductors, которая занимается проектированием, разработкой, производством и продажей полупроводниковой продукции. Компания специализируется на производстве полупроводниковых пластин в Остине (штат Техас) и Чандлере (штат Аризона) и выпускает высокопроизводительные решения для автомобильного, промышленного и коммуникационного рынков.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z