Свяжитесь с нами
pусский
BSR58,215

NXP BSR58,215

40 V60 ОмTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Сравнить
NXP USA Inc.
BSR58,215
JFET N-CH 40V SOT23
BSR58,215 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽24.51

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The BSR58 is JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23, that includes Digi-ReelR Alternate Packaging Packaging, they are designed to operate with a BSR58_NL Part Aliases, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.002116 oz, that offers Mounting Style features such as SMD/SMT, Package Case is designed to work in TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, as well as the Surface Mount Mounting Type, the device can also be used as SOT-23-3 Supplier Device Package. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in N-Channel FET Type, the device has a 250mW of Power Max, and Voltage Breakdown V BRGSS is 40V, and the Current Drain Idss Vds Vgs=0 is 8mA @ 15V, and Voltage Cutoff VGS off Id is 800mV @ 0.5nA, and the Resistance RDS On is 60 Ohm, and Pd Power Dissipation is 250 mW, and the Rds On Drain Source Resistance is 60 Ohms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Vgs Gate Source Breakdown Voltage is - 40 V.

The BSR57,215 is JFET N-CH 40V 250MW SOT23, that includes 20mA @ 15V Current Drain Idss Vds Vgs=0, they are designed to operate with a 40V Drain to Source Voltage Vdss, FET Type is shown on datasheet note for use in a N-Channel, that offers Mounting Type features such as Surface Mount, Package Case is designed to work in TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, as well as the Tape & Reel (TR) Packaging, the device can also be used as 250mW Power Max. In addition, the Resistance RDS On is 40 Ohm, the device is offered in SOT-23 (TO-236AB) Supplier Device Package, the device has a 40V of Voltage Breakdown V BRGSS, and Voltage Cutoff VGS off Id is 5V @ 0.5nA.

Features

Tape & Reel (TR) Package
40 V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
40 V Drain to Source Voltage (Vdss)
8 mA @ 15 V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
800 mV @ 0.5 nA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
60 Ohms Resistance - RDS(On)
250 mW Power - Max
150°C (TJ) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Напряжение пробоя (затвор-источник-источник): 40 V
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - сток (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 мА @ 15 В
Напряжение отсечки на затворе-источнике в выключенном состоянии и ток стока: 800 мВ при 0,5 нА
Устойчивость к внешним воздействиям: 60 Ом
Максимальная мощность: 250 мВт
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поставщик Упаковка устройства: SOT-23 (TO-236AB)
NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc. является американским филиалом компании NXP Semiconductors, которая занимается проектированием, разработкой, производством и продажей полупроводниковой продукции. Компания специализируется на производстве полупроводниковых пластин в Остине (штат Техас) и Чандлере (штат Аризона) и выпускает высокопроизводительные решения для автомобильного, промышленного и коммуникационного рынков.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z