Свяжитесь с нами
pусский
J111,126

NXP J111,126

40 V30 ОмTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Формируемые выводы

Сравнить
NXP USA Inc.
J111,126
JFET N-CH 40V TO92-3
J111,126 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽2.23

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The J110RLRAG is JFET N-CH 25V 0.31W TO92, that includes Tape & Reel (TR) Packaging, they are designed to operate with a TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Package Case, Mounting Type is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Supplier Device Package features such as TO-92-3, FET Type is designed to work in N-Channel, as well as the 310mW Power Max, the device can also be used as 25V Voltage Breakdown V BRGSS. In addition, the Current Drain Idss Vds Vgs=0 is 10mA @ 15V, the device is offered in 500mV @ 1μA Voltage Cutoff VGS off Id, the device has a 18 Ohm of Resistance RDS On.

The J111 is JFET 55V 20mA manufactured by Vishay/Siliconix. The J111 is available in TO-92 Package, is part of the Transistors - FETs, MOSFETs - Single, , and with support for JFET 55V 20mA, JFET N-Channel 35V 625mW Through Hole TO-92-3, Trans JFET N-CH 3-Pin TO-92, JFET N-Channel Switch.

Features

Cut Tape (CT) Package
40 V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
40 V Drain to Source Voltage (Vdss)
20 mA @ 15 V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
10 V @ 1 µA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
6pF @ 10V (VGS) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
30 Ohms Resistance - RDS(On)
400 mW Power - Max
150°C (TJ) Operating Temperature
Through Hole Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Разрезанная лента (CT)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Напряжение пробоя (затвор-источник-источник): 40 V
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - сток (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 мА @ 15 В
Напряжение отсечки на затворе-источнике в выключенном состоянии и ток стока: 10 В @ 1 мкА
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 6пФ @ 10В (VGS)
Устойчивость к внешним воздействиям: 30 Ом
Максимальная мощность: 400 мВт
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Формируемые выводы
Поставщик Упаковка устройства: ТО-92-3
NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc. является американским филиалом компании NXP Semiconductors, которая занимается проектированием, разработкой, производством и продажей полупроводниковой продукции. Компания специализируется на производстве полупроводниковых пластин в Остине (штат Техас) и Чандлере (штат Аризона) и выпускает высокопроизводительные решения для автомобильного, промышленного и коммуникационного рынков.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z