Свяжитесь с нами
pусский
J175,116

NXP J175,116

30 V125 ОмTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Формируемые выводы

Сравнить
NXP USA Inc.
J175,116
JFET P-CH 30V TO92-3
J175,116 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The J175 is JFET P-CH 30V 0.35W TO92, that includes Bulk Packaging, they are designed to operate with a 0.016000 oz Unit Weight, Mounting Style is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Package Case features such as TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Technology is designed to work in Si, as well as the Through Hole Mounting Type, the device can also be used as TO-92-3 Supplier Device Package. In addition, the Configuration is Single, the device is offered in P-Channel FET Type, the device has a 350mW of Power Max, and Voltage Breakdown V BRGSS is 30V, and the Current Drain Idss Vds Vgs=0 is 7mA @ 15V, and Voltage Cutoff VGS off Id is 3V @ 10nA, and the Resistance RDS On is 125 Ohm, and Pd Power Dissipation is 360 mW, and the Id Continuous Drain Current is - 10 nA, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is - 15 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 85 Ohms, and Transistor Polarity is P-Channel, and the Vgs Gate Source Breakdown Voltage is 30 V, and Gate Source Cutoff Voltage is 6 V.

J174_D75Z with circuit diagram, that includes 20mA @ 15V Current Drain Idss Vds Vgs=0, they are designed to operate with a P-Channel FET Type, Mounting Type is shown on datasheet note for use in a Through Hole, that offers Package Case features such as TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads), Packaging is designed to work in Tape & Box (TB), as well as the 350mW Power Max, the device can also be used as 85 Ohm Resistance RDS On. In addition, the Supplier Device Package is TO-92-3, the device is offered in 30V Voltage Breakdown V BRGSS, the device has a 5V @ 10nA of Voltage Cutoff VGS off Id.

Features

Tape & Box (TB) Package
30 V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
30 V Drain to Source Voltage (Vdss)
7 mA @ 15 V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
3 V @ 10 nA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
8pF @ 10V (VGS) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
125 Ohms Resistance - RDS(On)
400 mW Power - Max
150°C (TJ) Operating Temperature
Through Hole Mounting Type
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и коробка (ТБ)
Статус части: Устаревший
Тип FET: P-канал
Напряжение пробоя (затвор-источник-источник): 30 V
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - сток (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7 мА @ 15 В
Напряжение отсечки на затворе-источнике в выключенном состоянии и ток стока: 3 В @ 10 нА
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 8пФ @ 10В (VGS)
Устойчивость к внешним воздействиям: 125 Ом
Максимальная мощность: 400 мВт
Рабочая температура: 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Упаковка / Кейс: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Формируемые выводы
Поставщик Упаковка устройства: ТО-92-3
NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc. является американским филиалом компании NXP Semiconductors, которая занимается проектированием, разработкой, производством и продажей полупроводниковой продукции. Компания специализируется на производстве полупроводниковых пластин в Остине (штат Техас) и Чандлере (штат Аризона) и выпускает высокопроизводительные решения для автомобильного, промышленного и коммуникационного рынков.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z