Свяжитесь с нами
pусский
MMZ25332BT1

NXP MMZ25332BT1

1,8 ГГц ~ 2,8 ГГц33 дБм26,5 дБ5,8 дБ3 В ~ 5 В

Сравнить
NXP USA Inc.
MMZ25332BT1
IC AMP LTE 1.8GHZ-2.8GHZ 12QFN
MMZ25332BT1 Техническое описание(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽274.92

Обновление цены:2025-02-20

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The MMZ25332BT1 is a 2-stage, high linearity InGaP HBT broadband amplifier designed for femtocell, picocell, WLAN (802.11g/n), W-CDMA, TD-SCDMA and LTE wireless broadband applications. It provides high linearity for LTE and W-CDMA air interfaces with an ACPR of -50 dBc at an output power of up to 22 dBm, covering frequencies from 1500-2800 MHz. It operates from a supply voltage of 3 to 5 V. The amplifier is fully input matched, requires minimal external matching on the output and is housed in a cost-effective, surface mount QFN 3 x 3 package. The device offers state-of-the-art reliability, ruggedness, temperature stability and ESD performance.

Features

Tape & Reel (TR) Package
WIDE BAND MEDIUM POWER RF/Microwave Amplifier
RF Type LTE, TDS-CDMA, W-CDMA
3V~5V voltage
390mA current

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of NXP USA Inc.
MMZ25332BT1 RF Amplifiers applications.

  • GPS
  • GLONASS
  • BeiDou
  • Galileo
  • Wireless communications
  • ISM applications
  • Wireless infrastructure
  • Automated test equipment
  • RF/IF gain control
  • Microwave Radios
Характеристики продукта
Выбрать все
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Частота: 1,8 ГГц ~ 2,8 ГГц
P1dB: 33 дБм
Прирост: 26,5 дБ
Коэффициент шума: 5,8 дБ
Тип RF: LTE, TDS-CDMA, W-CDMA
Напряжение питания: 3 В ~ 5 В
Ток - питание: 390 мА
Частота испытаний: 2,5 ГГц
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 12-VFQFN Открытая площадка
Поставщик Упаковка устройства: 12-QFN (3x3)
NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc. является американским филиалом компании NXP Semiconductors, которая занимается проектированием, разработкой, производством и продажей полупроводниковой продукции. Компания специализируется на производстве полупроводниковых пластин в Остине (штат Техас) и Чандлере (штат Аризона) и выпускает высокопроизводительные решения для автомобильного, промышленного и коммуникационного рынков.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z