ON FDB035AN06A0
N-канальный60 V22A (Ta), 80A (Tc)4 В @ 250 мкА310 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDB035AN06A0
MOSFET N-CH 60V 22A/80A D2PAK
₽177.57
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60 V, 80 A, 3.5 mΩThe latest shielded gate PowerTrench® MOSFET, which combines a smaller QSYNC and soft reverse-recovery intrinsic body diode performance with fast switching, can substantially improve the efficiency of synchronous rectification.
Features
PowerTrench® SeriesLow Miller Charge
Low Qrr Body Diode
RDS(on) = 3.2m? (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 80A
QG(tot) = 95nC (Typ.) @ VGS = 10V
UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)
Qualified to AEC Q101
Applications
Synchronous Rectification for ATX / Server I Telecom PSU
Battery Protection Circuit
Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDA38N30
onsemi
MOSFET N-CH 300V 38A TO3PN
FDA59N25
onsemi
MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN
FDB024N08BL7
onsemi
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
FDA59N30
onsemi
MOSFET N-CH 300V 59A TO3PN
FDB031N08
onsemi
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
FDA50N50
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
FDA50N50
onsemi
MOSFET N-CH 500V 48A TO3PN
FDA38N30
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 22A (Ta), 80A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 6 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 3,5 мОм @ 80 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 124 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 6400 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 310 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN