ON FDB075N15A
N-канальный150 V130A (Tc)4 В @ 250 мкА333 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDB075N15A
MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK
₽81.05
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Features
PowerTrench® SeriesTape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
150 V Drain to Source Voltage (Vdss)
130A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
7.5mOhm @ 100A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
100 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
7350 pF @ 75 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
333W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Applications
Fast Switching
Low Gate Charge, QG = 77nC ( Typ.)
High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)
High Power and Current Handling Capability
RoHS Compliant
FDB075N15A Applications
AC-DC Merchant Power Supply
Desktop PC
Uninterruptible Power Supply
Other Data Processing
Electric Bike
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDB060AN08A0
onsemi
MOSFET N-CH 75V 16A/80A D2PAK
FDB050AN06A0
onsemi
MOSFET N-CH 60V 18A/80A D2PAK
FDB047N10
onsemi
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
FDB070AN06A0
onsemi
MOSFET N-CH 60V 15A/80A D2PAK
FDB024N08BL7
onsemi
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
FDB045AN08A0
onsemi
MOSFET N-CH 75V 19A/90A D2PAK
FDB070AN06A0
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDB045AN08A0
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 150 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 130A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 7,5 мОм @ 100 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 100 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 7350 пФ @ 75 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 333 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3