ON FDB86135
N-канальный100 V75A (Tc)4 В @ 250 мкА2,4 Вт (Ta), 227 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDB86135
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
₽213.56
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Features
PowerTrench® SeriesThis N-channel MOSFET FDB86135 is produced by Xiantong's advanced power gate process, which combines screen door technology. The process is optimized for on-resistance while maintaining excellent switching performance.
Applications
·Shielded Gate MOSFET Technology
·Max RDs(on)= 3.5mΩat VGs=10V,ID=75A.
·Fast Switching Speed
·Low Gate Charge
·High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)
·High Power and Current Handling Capability
·RoHS Compliant
FDB86135 Applications
·DC-DC primary bridge
·DC-DC Synchronous rectification
· Hot swap
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDB6670AL
onsemi
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
FDB7030L
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
FDB86102LZ
onsemi
MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
FDB86102LZ
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FDB6670AL
onsemi
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
FDB603AL
onsemi
N-CHANNEL POWER MOSFET
FDB7045L
Fairchild Semiconductor
N-CHANNEL POWER MOSFET
FDB7030L
Fairchild Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 75A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 3,5 мОм @ 75A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 116 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 7295 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,4 Вт (Ta), 227 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D²PAK (TO-263)
Упаковка / Кейс: TO-263-3, D²Pak (2 провода + накладка), TO-263AB
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3