ON FDC3601N
MOSFET (оксид металла)2 N-канала (сдвоенные)100V1A500 мОм @ 1A, 10 В4 В @ 250 мкА
СравнитьFDC3601N
MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6
₽23.53
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
These N-Channel 100V specified MOSFETs are produced using an advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the bigger more expensive SO-8 and TSSOP-8 packages are impractical.
Features
PowerTrench® Series
1.0 A, 100 V
RDS(on) = 500 m|?@ VGS = 10 V
RDS(on) = 550 m|? @ VGS = 6 V
Low gate charge (3.7nC typical)
Fast switching speed
High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
SuperSOT?-6 package: small footprint 72%(smaller than standard SO-8); low profile (1mm thick)
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDC2512
onsemi
MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6
FDB8896
onsemi
MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB
FDC2612
onsemi
MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
FDB8874
onsemi
MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB
FDC3512
onsemi
MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6
FDC3535
onsemi
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
FDB8896
Fairchild Semiconductor
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Конфигурация: 2 N-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 1A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 500 мОм @ 1A, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 5nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 153пФ @ 50В
Максимальная мощность: 700 мВт
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: SOT-23-6 тонкий, TSOT-23-6
Поставщик Упаковка устройства: SuperSOT™-6
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC