ON FDC655AN
N-канальный30 V6,3A (Ta)3 В @ 250 мкА1,6 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDC655AN
MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
Цена договорная
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
FDC654P_F073 with pin details manufactured by FAIRCHILD. The FDC654P_F073 is available in SOT-163 Package, is part of the IC Chips.
FDC655 with circuit diagram manufactured by FAIRCHILD. The FDC655 is available in SOT23-6 Package, is part of the FETs - Single.
Features
PowerTrench® Series6.3 A, 30 V. RDS(ON)= 0.027 W @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 0.035 W @ VGS = 4.5 V.
Fast switching.
Low gate charge ( typical 9 nC).
SuperSOTTM-6 package: small footprint (72% smaller thanSO-8); low profile (1mm thick); pin compatible with TSOP-6.
Applications
Broadband fixed-line access
Datacom module
Wired networking
Wireless infrastructure
Aerospace & defense
Appliances
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDC638APZ
onsemi
MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6
FDC654P
onsemi
MOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
FDC653N
onsemi
MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
FDC645N
onsemi
MOSFET N-CH 30V 5.5A SUPERSOT6
FDC6420C
onsemi
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6
FDC6506P
onsemi
MOSFET 2P-CH 30V 1.8A SSOT6
FDC654P
Fairchild Semiconductor
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDC653N
Fairchild Semiconductor
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 6,3A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 27 мОм @ 6,3 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 13 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 830 пФ @ 15 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 1,6 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: SuperSOT™-6
Упаковка / Кейс: SOT-23-6 тонкий, TSOT-23-6
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA