ON FDD10N20LZTM
N-канальный200 V7.6A (Tc)2,5 В @ 250 мкА83 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDD10N20LZTM
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
₽13.59
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
UniFETTM MOSFET is an high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Features
UniFET™ SeriesRDS(on) = 300m? ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 3.8A
Low gate charge ( Typ. 12nC)
Low Crss ( Typ. 11pF)
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
ESD improved capability
RoHS compliant
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDC8886
onsemi
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
FDC8884
onsemi
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
FDC86244
onsemi
MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6
FDC699P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6
FDC8602
onsemi
MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
FDC8886
Fairchild Semiconductor
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDC699P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: UniFET™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 200 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 7.6A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 360 мОм @ 3,8 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,5 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 16 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 585 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 83 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: TO-252AA
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN