Свяжитесь с нами
pусский
FDD6760A

ON FDD6760A

N-канальный25 V27A (Ta), 50A (Tc)3 В @ 250 мкА3,7 Вт (Ta), 65 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
onsemi
FDD6760A
MOSFET N-CH 25V 27A/50A DPAK
Нет технического описания
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

Цена договорная

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The FDD6696 is MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK manufactured by FAI. The FDD6696 is available in TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 30V 13A D-PAK, N-Channel 30V 13A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252), Trans MOSFET N-CH 30V 13A 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R.

FDD6760 with circuit diagram manufactured by FAIRCHILD. The FDD6760 is available in TO-252 Package, is part of the FETs - Single.

Features

PowerTrench® Series
the avalanche energy rating (Eas) is 72 mJ
a continuous drain current (ID) of 27A
a drain-to-source breakdown voltage of 25V voltage
the turn-off delay time is 28 ns
based on its rated peak drain current 200A.

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of ON Semiconductor
FDD6760A applications of single MOSFETs transistors.

  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
  • Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Telecom 1 Sever Power Supplies
  • Industrial Power Supplies
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 25 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 3,2 мОм @ 27 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 62 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 3170 пФ @ 13 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,7 Вт (Ta), 65 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: TO-252AA
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi

onsemi

onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z