ON FDD86540
N-канальный60 V21,5A (Ta), 50A (Tc)4 В @ 250 мкА3,1 Вт (Ta), 127 Вт (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьFDD86540
MOSFET N-CH 60V 21.5A/50A DPAK
₽32.29
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
Features
PowerTrench® SeriesTape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
60 V Drain to Source Voltage (Vdss)
21.5A (Ta), 50A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.1mOhm @ 21.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
90 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
6340 pF @ 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3.1W (Ta), 127W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDD8647L
onsemi
MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK
FDD86252
onsemi
MOSFET N-CH 150V 5A/27A DPAK
FDD850N10L
onsemi
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK
FDD86102LZ
onsemi
MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
FDD86102
onsemi
MOSFET N-CH 100V 8A/36A DPAK
FDD86326
onsemi
MOSFET N-CH 80V 8A/37A DPAK
FDD850N10L
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 21,5A (Ta), 50A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 8 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 4,1 мОм @ 21,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 90 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 6340 пФ @ 30 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,1 Вт (Ta), 127 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: TO-252AA
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
FDC604P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
2N7002LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
FDMS86200
onsemi
MOSFET N-CH 150V 9.6A/35A 8PQFN
FDD2572
onsemi
MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO252AA
FDN340P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
FDMC86139P
onsemi
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
BSS138LT1G
onsemi
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
FDMA908PZ
onsemi
MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET
FDN338P
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1.6A SUPERSOT3
FDV301N
onsemi
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23