ON FDMS3600S
MOSFET (оксид металла)2 N-канальные (сдвоенные) асимметричные25V15A (Ta), 30A (Tc), 30A (Ta), 40A (Tc)5,6 мОм @ 15А, 10В, 1,6 мОм @ 30А, 10В2,7 В @ 250 мкА, 3 В @ 1 мА
СравнитьFDMS3600S
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
₽11.18
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous SyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Features
PowerTrench® SeriesMaximum RDS(on) at VGS = 10 V, ID = 30 A is 1.6 m.
At VGS = 4.5 V, ID = 25 A, the maximum RDS(on) is 2.4 m.
Reduced rise/fall periods due to reduced inductance packing reduce switching losses.
Optimal designing for lower circuit inductance and less switch node ringing is made possible by MOSFET integration.
Conforms to RoHS
Applications
Notebook PC
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
FDMS039N08B
onsemi
MOSFET N-CH 80V 19.4A/100A 8PQFN
FDMS0308AS
onsemi
MOSFET N-CH 30V 24A/49A 8PQFN
FDMS037N08B
onsemi
MOSFET N-CH 75V 100A 8PQFN
FDMS0312AS
onsemi
MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
FDMS0312S
onsemi
MOSFET N-CH 30V 19A/42A 8PQFN
FDMS0309AS
onsemi
MOSFET N-CH 30V 21A/49A 8PQFN
FDMS0312S
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
FDMS0309AS
onsemi
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: PowerTrench®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Конфигурация: 2 N-канальные (сдвоенные) асимметричные
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 25V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 15A (Ta), 30A (Tc), 30A (Ta), 40A (Tc)
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 5,6 мОм @ 15А, 10В, 1,6 мОм @ 30А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2,7 В @ 250 мкА, 3 В @ 1 мА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 27nC @ 10V, 82nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1680пФ @13В, 5375пФ @ 13В
Максимальная мощность: 2,2 Вт (Ta), 2,5 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-PowerTDFN
Поставщик Упаковка устройства: 8-PQFN (5x6)
onsemi
onsemi (ранее ON Semiconductor) - ведущий мировой поставщик полупроводниковой продукции для интеллектуальных энергетических и сенсорных технологий. Компания была основана в 1999 году, ее штаб-квартира находится в Скоттсдейле, штат Аризона, США. Продукция onsemi охватывает автомобильную, промышленную отрасли, управление питанием и Интернет вещей.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN